ITO导电玻璃稳定性:耐碱为浸入60℃、浓度为10%氢氧化钠溶液中5分钟后,ITO层方块电阻变化值不超过10%。耐酸为浸入250C、浓度为6%盐酸溶液中5分钟后,ITO层方块电阻变化值不超过10%。耐溶剂为在250C、二甲基酮、无水乙醇或100份去离子水加3分EC101配制成的清洗液中5分钟后,ITO层方块电阻变化值不超过10%。附着力:在胶带贴附在膜层表面并迅速撕下,膜层无损伤;或连撕三次后,ITO层方块电阻变化值不超过10%。热稳定性:在300°C的空气中,加热30分钟后,ITO导电膜方块电阻值应不大于原方块电阻的300%。
影响ITO酸性氯化铜蚀刻液蚀刻速率的因素:1、Cu+含量的影响:根据蚀刻反应机理,随着铜的蚀刻就会形成一价铜离子。较微量的Cu+就会明显的降低蚀刻速率。所以在蚀刻操作中要保持Cu+的含量在一个低的范围内。2、Cu2+含量的影响:溶液中的Cu2+含量对蚀刻速率有一定的影响。一般情况下,溶液中Cu2+浓度低于2mol/L时,蚀刻速率较低;在2mol/L时速率较高。随着蚀刻反应的不断进行,蚀刻液中铜的含量会逐渐增加。当铜含量增加到一定浓度时,蚀刻速率就会下降。为了保持蚀刻液具有恒定的蚀刻速率,必须把溶液中的含铜量控制在一定的范围内。
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