现代清洗技术中的关键要求：IC清洁剂在未来90~65nm节点技术工艺中，除了要考虑清洗后的硅片表面的微粗糙度及自然氧化物去除率等技术指标外，也要考虑对环境的污染以及清洗的效率其经济效益等。硅片清洗技术评价的主要指标可以归纳为：微粗糙度（RMS)；自然氧化物去除率；金属沾污、表面颗粒度以及有机物沾污，其他指标还包括：芯片的破损率；清洗中的再沾污；对环境的污染；经济的可接受：包括设备与运行成本、清洗效率)等。金属沾污在硅片上是以范德华引力、共价键以及电子转移等三种表面形式存在的。这种沾污会破坏薄氧化层的完整性，增加漏电流密度，影响MOs器件的稳定性，重金属离子会增加暗电流，情况为结构缺陷或雾状缺陷。
IC封装药液清洁ACF用，对已上温并硬化的TYPE上的MELAMINE，URETHANE都可以膨胀分离。特別是对HITACHI。SONY的ACF有良好的除去效果。去除能力强，并且效果好无挥发性，容易保存无刺激性气味。半导体IC制程主要以20世纪50年代以后发明的四项基础工艺(离子注入、扩散、外延生长及光刻)为基础逐渐发展起来，由于集成电路内各元件及连线相当微细，因此制造过程中，如果遭到尘粒、金属的污染，很容易造成晶片内电路功能的损坏，形成短路或断路等，导致集成电路的失效以及影响几何特征的形成。
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